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碳化硅晶片的主要应用领域2014
碳化硅晶片的主要应用领域2014
2021-10-09T02:10:14+00:00
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 碳化硅的优势 硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，因自然界储量大、制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目 2022年2月18日 其中， 导电型碳化硅衬底（碳化硅外延）主要用于制造耐高温、耐高压的功率器件 ，目前已广泛应用于电子电力领域，如新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通 “新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅 百家号2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
碳化硅晶片百度百科
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。 该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率 2021年7月21日 毛开礼表示，虽然碳化硅可被应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线通信等多个领域，可谓“万物皆可碳化硅”，但碳化硅的市场潜力还远未被挖掘，如果从 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材 碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
2019年9月2日 一、材料及其特性 碳化硅材料普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域，已经成为一种在很多工业领域不可替代的材料。 SiC是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型 2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内较大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳 国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎2021年7月4日 01碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体材料 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅
国内碳化硅产业链！电子工程专辑
2020年12月25日 01、碳化硅功率器件制备及产业链 SiC功率器件的制备过程，包含SiC粉末合成、单晶生长、晶片切磨抛、外延（镀膜）、前道工艺（芯片制备）、后道封装。 图：SiC功率半导体制备工艺 目前，SiC衬 2021年11月5日 受益于市场对碳化硅芯片的需求加大，第三代半导体已成为群雄逐鹿之地，不仅国际巨头“跑马圈地”，国内企业也不甘落后，纷纷布局碳化硅 国产碳化硅替代机遇显现 第三代半导体群雄逐鹿资本入局 2021年8月16日 硅基LDMOS器件已经应用多年，但主要应用于4GHz 以下的低频领域 。5G通讯高频、高速和高功率的特点对功率放大器性能也提出了更高的要求，碳化硅基氮化镓具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，成为5G通讯系统、新一代有源相控阵雷达等 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
第三代半导体之SiC衬底行业研究：产业瓶颈亟待突破，国内
2021年11月24日 1 第三代半导体，SiC 衬底性能优越 11 SiC新一代电力电子核心材料 碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。 代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。 但是难以 满足 2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎2022年9月22日 如今，我们正在快步走入第三代半导体的应用世界，以碳化硅为代表的第三代半导体材料，广泛运用在5G基站、新能源汽车等数字经济领域。采用了第三代半导体碳化硅器件以后，新能源车可以实现充电10行驶400公里。据了解，中国电科的碳化硅器件，装车量已经达到100万台，旗下企业已经实现 调研｜第三代半导体正在加入走进我们生活 腾讯网
碳化硅介绍 知乎
2023年4月10日 四、碳化硅功率器件的电气性能优势： 1 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm (4HSiC)，因此具有更高的耐压能力 (10倍于Si)。 2 散热容易：由于SiC材料的热导率较高 (是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。 理论上，SiC功率器件可在175℃结温下 2021年11月19日 集微咨询（JW insights）调研发现，国内碳化硅产业化带有“学研”基因极为突出，“产学研用”已成国内碳化硅衬底领域的重要特色。 集微咨询（JW insights）了解到，目前国际上SiC衬底的制造早已从4英寸换代到6英寸，部分企业8英寸产线即将开始量产。 集微咨询：国内SiC衬底企业技术图谱：“产学研”基因凸显2023年1月11日 2022年，碳化硅（SiC）领域的扩产和收并购动作，是全球性现象。 无论是沉淀相对深厚的Wolfspeed和意法半导体，还是国内产业链公司，都在积极推进建厂、验证等工作。 这背后是以新能源车为代表的需求支撑，尤其是特斯拉积极采用碳化硅功率器件替 芯趋势丨碳化硅投资大跃进！国内生态链疾行 21经济网
“新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅 百家号
2022年2月18日 碳化硅材料应用场景较为明确，根据电阻率不同，碳化硅晶片可分为导电型（1530mΩcm）和半绝缘型（不低于10^5Ωcm）。其中，导电型碳化硅衬底（碳化硅外延）主要用于制造耐高温、耐高压的功率器件，目前已广泛应用于电子电力领域，如新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域，市场规模 2021年11月7日 碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底：指电阻率高于 105Ωcm 的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展 5G 技术推动碳化硅衬底需求释放。 导电型碳化硅衬底：指电阻率在 15~30mΩcm 的碳化硅衬底。揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代
2022年8月17日 据统计，2021 年全球碳化硅晶圆产 能约为 4060 万片，有效产能仅 2030 万片，其中，新能源汽车和光伏占碳化硅市 场 77%，相比碳化硅晶圆需求，存在巨大的供给缺口。 预计 2025 年，全球 6 英寸 碳化硅晶圆产能预测约 242 万片，全球 6 英寸碳化硅晶圆 2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网2021年1月28日 ①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、IIVI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、IIVI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。中国企业以天科合达和山东天岳为主的SiC晶片厂商发展速度较快，市占率提升明显。碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ 知乎
新能源汽车技术升级大潮涌起，碳化硅功率芯片产业链“赶海
2022年6月23日 随着新能源汽车新技术、新材料的不断涌现，更具优势的第三代碳化硅（SiC）功率芯片热度正持续飙升，备受关注。前不久，配装臻驱科技车规级碳化硅功率芯片模块的全新一代双电机控制器正式量产上车，应用于上汽通用五菱凯捷混动版及星辰SUV混动 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2021年12月2日 基于上述特性，碳化硅器件相比于硅基器件优势也更加明显，具体体现在： （1）阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率； （2）频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，而且效率不随着频率的升高而降低，可以降低能量损耗； （3）能 “拯救”SiC的几大新技术腾讯新闻